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        硅片專用測溫儀-Impac IS 50-Si-LO plus

        更新時間:2024-11-15點擊次數:585

        碳化硅在半導體領域(SiC)它是一種備受關注的材料,因其優異的高溫和低溫工作性能而備受尊敬。碳化硅作為一種寬禁帶半導體,可以在高溫和低溫環境下保持良好的電氣性能,在許多領域具有廣闊的應用前景。

        溫度變化會影響碳化硅片的物理、化學和電學性能,高溫下其會熱膨脹、硬度及機械性能改變、化學反應活性增強、原子擴散加快、載流子遷移率變化,低溫時會收縮、變脆,在不同溫區還會因環境因素引發如吸附水汽、影響電學性能等各類相關情況。

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        Impac IS 50-Si-LO plus測溫儀采用特殊波長,適用于硅片的測量,測溫范圍400-1600 °C,該儀器配備了一根光纖以及一個可更換的光纖測頭,不受電磁干擾(如:感應)的影響,耐溫可高達250 °C。
        根據不同的測量距離,有兩個不同的測頭可供選擇,可實現小的光斑尺寸。激光靶光可以用來瞄準測量物體。

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