碳化硅SiC外延工藝溫度監測方案

該工藝生長溫度需要達到最高 1700 ℃，還涉及到多種復雜氣氛環境，這對設備結構設計和控制帶來很大的挑戰。

SiC CVD外延設備一般采用水平熱壁式反應腔、水平溫壁式反應腔和垂直熱壁式反應腔 3 種設備結構原理形式。

在水平熱壁單片式外延爐中高溫計通過石英窗口以及石墨熱壁開孔，可以測試石墨熱壁中段的溫度。根據現場設備情況，高溫計可選用激光瞄準或視頻瞄準形式。